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IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等，單個元件電壓可達4.0KV（pt結構）一6.5KV（npt結構），電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。IXXN110N65C4H1德國艾賽斯IGBT模塊功率模塊

IGBT在高頻下工作時，其總損耗與開關頻率的關系比較大，因此，若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開關主要是降低了開關損耗，可使IGBT模塊工作頻率大大提高。隨著IGBT模塊耐壓的提高，IGBT的開關頻率相應下降，下面列出英飛凌模塊不同耐壓，不同系列工作頻率的參考值。供應原裝大功率1單元單管英飛凌IGBT模塊

德國英飛凌可控硅模塊按其內部管芯連接方式可分為 TT 雙可控硅串聯、 DD 雙二極管串聯 、 TZ 單可控硅模塊等7種，具體見產品詳情。可用于幾乎所有相位控制或整流器中。德國英飛凌可控硅模塊晶閘管全新現貨直供

多脈沖整流技術按整流的波頭多少可以分為12、18、24等脈沖整流器。脈沖數越多，整流器的輸入電流及輸出電壓特性越好，但是整流器的系統(tǒng)越復雜。全系列 西門康整流橋模塊原裝現貨直供

SKKH系列全新西門康可控硅模塊功率二極管模塊晶閘管 。體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。