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Technical articles巴斯曼快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會在上面點上某種材質的焊點，其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開。快速熔斷器是一種保護電路的裝置，有多種類型，隨著對生活生產安全的高度...
高壓快速斷器是一種斷器的一種，快速斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速斷的能力。快速斷器的結構和有填料封閉式斷器基本相同，但體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面體。快速斷器的絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會在上面點上某種材質的焊點，其目的為了使絲在過載情況下迅速斷開。快速斷器：斷器主要用于半導體整流元件或整流器件的短路保護。因為半導體元件的過載能力很低。只能...
艾賽斯模塊的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。艾賽斯模塊的可靠性測試是在其生產中不可少的一個環節，為何這么說呢？艾賽斯模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件...
傳統的晶閘管本質上是直流控制裝置。為了控制交流負載，兩個晶閘管必須并聯反向極性，使每個晶閘管能控制一個半波。晶閘管晶閘管是在普通晶閘管的基礎上發展起來的，它不僅可以并聯取代兩個反極性晶閘管，而且只需要一個觸發電路，是目前理想的交流開關器件。它的英文名字是triac意思是三端雙向交流開關。晶閘管是一種功率集成裝置，由七個晶體管和多個電阻組成，雖然從形式上來說它可以看作是兩個傳統晶閘管的組合。低功率晶閘管用塑料包裝，有些帶散熱片，如圖1所示。典型產品有bcmlam(1a/600v...
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），又稱為絕緣閘極雙極性電晶體。IGBT歸類在功率半導體元件的電晶體領域。功率半導體元件（電晶體領域）除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導體開關。IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業應用（例如，逆變器系統和不間斷電源（UPS））、消費類應用（例如，空調和電磁爐...
高壓快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會在上面點上某種材質的焊點，其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開。下面我們一起來了解下快速熔斷器的安裝要求：一、快速熔斷器變電器在二次電...
快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。快速熔斷器的工作溫度范圍非常大，上限可以達到90℃，下限可以達到-50℃。具有良好的分斷能力，最大分斷能力達到35KA，分斷時間常數為1-3ms。熔斷特性*：熔斷器在實際工作電流達到額定電流的1.13倍時，1小時內熔...
什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向；我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號。對于諸如“流控制”或可編程開關之類的應用，我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽說過Bardeen&Brattain，是他們偶然之間發明了三極管，就像許多其它偉大的發現一樣。結構上，它由兩個背靠背的結實現(這不是一筆大交易，早在Bardeen之前，我們可能就是采用相同的結構實現了共...
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